Ponente
Descripción
Contexto y propósito: La investigación se centró en el uso de las líneas de emisión de Neón en el infrarrojo para estudiar las componentes presentes en las Distribuciones Espectrales de Energía (SEDs) de Núcleos Activos de Galaxias (AGN) radio silenciosos, específicamente galaxias Seyfert y QSOs, con el propósito de verificar si las estimaciones de la fracción del AGN (
Metodología: Se utilizó el código CIGALE para modelar y ajustar las SEDs de galaxias Seyfert y QSOs. Se recopilaron datos fotométricos de las bases de datos NED y CDS (SIMBAD) y se filtraron galaxias con información de las líneas de Neón en el infrarrojo. A partir del mejor modelo de SED ajustado, se estimaron diferentes propiedades físicas como la fracción del AGN (
Resultados y conclusiones: Se encontró una fuerte correlación entre la
La razón de [Ne V]/[Ne II] muestra que los valores de flujo de la línea de [Ne V] tienden a ser mayores en las galaxias Sy1 que en las galaxias Sy2. De igual forma la razón [Ne III]/[Ne II] muestran que el flujo de [Ne III] es mayor en las galaxias Sy1. Teniendo en cuenta la fuerte correlación entre [Ne V] y [Ne III] encontrada por Gorjian et al. [2007], se esperaría que los valores entre la razón de estas dos líneas tengan aproximadamente en promedio el mismo valor entre los dos grupos de galaxias Seyfert. Los resultados obtenidos confirmaron este supuesto con una media de valores de 0.57 para las Sy1 y de 0.56 para las Sy2 y con un valor de probabilidad nula de la prueba K-S del 89 %, mostrando así una muy alta similitud de la distribución de la razón [Ne V]/[Ne III] en los dos tipos de galaxias Seyfert.
Referencias:
[1] Abel, N. P. ; Satyapal, S. 2008, AJ, 678, 686-692
[2] Bernard-Salas, J.; Spoon, H. W. W.; Charmandaris, V.; Lebouteiller, V.; Farrah, D.; Devost, D.; Brandl, B. R.; Wu, Yanling; Armus, L.; Hao, L.; Sloan, G. C.; Weedman, D.; Houck, J. R. 2009, AJ, 184, 230-247
[3] Boquien, M.; Burgarella, D.; Roehlly, Y.; Buat, V.; Ciesla, L.; Corre, D.; Inoue, A. K.; Salas, H. 2019, AA 622, 103
[4] Gorjian, V.; Cleary, K.; Werner, M. W. & Lawrence, C. R. 2007, AJ, 655, L73.
[5] Higuera-G., M. -A.; Ramos P., A. F. 2013 RmxAA, 49, 301
[6] Ramos Padilla, A. F.; Wang, L.; Małek, K.; Efstathiou, A. & Yang, G. 2021, MNRAS 510, 687–707
Nivel de formación | Maestría |
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